MZMを採用すれば40kmの距離もカバーできる

　これに関して、実際のシリコンでの結果は？　というのがOFC 2021で発表された論文"Silicon Photonics Applications for 5G and Data Centers"のデータとなる以下の図。

　その内容はタイトルにもあるように、400GのトランシーバーをSilicon Photonicsを利用して製造し、その特性を調べてみたというものだ。

　比較の条件は、片方（Sample #1）がSilicon Photonicsを利用したMZM方式の100G ER1のトランシーバー、比較対象用のSample #2が100G Lambda MSAで規定された「100G ER1-40」のスペックに準拠した従来型トランシーバーである。

　グラフ中にあるEYE Patternは、そのSilicon Opticsを使って「400G-DR4」を実装し、PAM4変調を行った後の波形を示したものであり、きちんとEye Heightが取れていることがアピールされている。

　論文中には細かな記載がないが、上のグラフの説明には"We have also tested transmission dispersion tolerance with our internal developed silicon photonics MZ modulators PIC, as shown in Fig. 2, which show good margin vs. 100G ER1-40 specification by 100G Lambda MSA."とあり、100G Lambda MSAの100G ER1-40と比較しても、MZMを利用した場合にはマージンが多い（分散ペナルティが低い）とされ、MZMを使う限りにおいては40kmの伝達距離も十分にカバーできる、というのがグラフで意図したところだろう。

　ただ、先ほども出てきたように、ITUで定められた色分散の計算式を利用した場合、-60～-37ps/nmというと、実際には1308～1310nmということになり、ここに8波長を通すとなるとおよそ0.29nmおきとなる。

　これは、DWDMの0.8nmおきを超える波長密度であり、さすがに実現可能性が低すぎる。そこでもう少し色分散のリミットを広げ、1302～1310nmの間に8波長というかたちとすることで、現実的な実装ができるとしている。